ＯＮセミコン、新たなハイブリッドＩＧＢＴ公開
半導体部品を手掛ける米ＯＮセミコンダクターは、ドイツ南部のニュルンベルクで７〜９日に開催されたパワーエレクトロニクスの国際専門見本市「ＰＣＩＭヨーロッパ2019」で、ＳｉＣ（炭化ケイ素）ベースの新たなハイブリッド絶縁ゲート型バイポーラトランジスター（ＩＧＢＴ）を公開した。
新ＩＧＢＴ「AFGHL50
ＩＴ
-
自動運転で人間のような衝突回避に成功＝英大
2026/02/01（日）
-
Ｖ２Ｘチップ、デュアルバンドWi-Fi５の事前認証
ＭＥＡ ＩＴ2026/02/01（日）
-
ＮＴＴとゼンリン、地図の高度化で提携
アジア・オセアニア ＩＴ2026/02/01（日）
-
国交省、保安基準を策定
アジア・オセアニア 政策・規制2026/02/01（日）
-
【AE】テスト記事
ＥＶ2026/01/20（火）
