ドイツの半導体大手インフィニオンテクノロジーズは11日、世界初となる直径300ミリメートルのパワー窒化ガリウム（ＧａＮ）ウエハー技術の開発に成功したと発表した。製造効率の大幅な向上とより安定的な供給の確保が実現できる見込み。ＧａＮベースのパワー半導体市場を大きくけん引する画期的な技術だとしている。